НОВІ СЕЛЕКТИВНІ ВЛАСТИВОСТІ ПЛАЗМИ ДЛЯ ЕФЕКТИВНОГО ВИКОРИСТАННЯ В ЕЛЕКТРОНІЦІ ТА ТЕЛЕКОМУНІКАЦІЯХ

  • Oleksandr Shefer
  • Vitalii Marchenko
  • Galina Cherneva
Ключові слова: електроніка та телекомунікації, іоносферні збурення, технологічна плазма, вольт-амперні характеристики, ускладнені умови, просторовий заряд, локалізований розряд

Анотація

В умовах активної та пасивної радіоелектронної протидії, виявлення геофізичних явищ штучного іприродного походження набувають все більшої актуальності. Виявлення нових властивостей плазми, дає змогу більшефективно покращувати інформаційну складову радіосигналів та використовувати отримані властивості в суміжнихгалузях. У статті проведено дослідження елементарних процесів у повздовжньому та поперечному напрямках розряду, взалежності від природних та штучних умов, за різних видів газового середовища, що використовується; за різних тисківгазу та різного імпульсно-періодичного прикладання електричного поля. Показана відмінність властивостей розряду вінертних і молекулярних газах за різних конструкцій та площі електродів лабораторного пристрою. Встановлено, що змінафункціонального призначення між катодами та анодами не призводить до зміни форми розряду. Визначена присутністьамбіполярної дифузії зарядоносіїв, котра діє на великій площі плазми. Встановлено часткову однорідність зарядоносіїв,котра спостерігається тільки вздовж поверхні плазми, а в перпендикулярному напрямку однорідність порушується. Визначена різниця енерговнеску у розряді, залежно від контрукції електродів, за інших рівних умов.Виявлені властивостіплазми дають змогу їх більш ефективно використовувати для практичної реалізації у галузі електроніки тателекомунікацій та інших галузях промисловості.

Завантаження

Дані про завантаження поки що недоступні.

Посилання

1. Karlοv V.D. K vοprοsu οb izmerenii skοrοsti peremeshhenija iοnοsfernyh vοzmushhenij metοdοm nekοgepentnοgο rassejanija radiοvοln s primeneniem kοrreljaciοnnοgο spοsοba / V.D. Karlοv, M.N. Zhuravskij, D.V. Karlοv, Ο.V. Efimοva // Zbіrnik naukοvih prac' HUPS. – 2010. – # 3 (25). – pp. 54 – 57.
2. Rogozhkin E.V. Zondirujushhie signaly dlja issledovanija ionosfery metodom nekogerentnogo rassejanija:monografija / E.V. Rogozhkin, V.A. Puljaev, V.N. Lysenko. – H.: NTU HPI, 2008. – P. 254.
3. Krjukovskij A. S. Issledovanie osobennostej rasprostranenija korotkih radiovoln v neodnorodnoj anizotropnoj ionosfere / A. S. Krjukovskij, D. S. Lukin, D. V. Rastjagaev // Jelektromagnitnye volny i jelektronnye sistemy. – 2009. – Vol. 14. – no 8. – pp. 17-26.
4. Fridman G., Friedman G., Gutsol A., Shekhter A.B., Vasilets V.N., Fridman A. Applied Plasma Medicine // Plasma Process. andPolym. – 2008. – V. 5. – Iss. 6. – P. 503–533.
5. Zimin A.M., Hvesjuk V.I., Cydypov B.D. Jevoljucionnaja fiziko-matematicheskaja model' processov v sil'notochnyh plazmennyh sistemah // Nanomaterialy i tehnologii. Fizika kondensirovannogo sostojanija. Fizika i tehnika nizkotemperaturnoj plazmy: sb. tr. vseros. nauch.-prakt. konf. s mezhdunar. uchastiem, 4-7 sent. 2008. - Ulan-Udje: Izd-vo Burjat.gos. un-ta, 2008. - pp.191-195.
6. Smirnov B. M. Theory of Gas Discharge / B. M. Smirnov // Plasma Springer Series on Atomic, Optical, and Plasma Physics, Switzerland. – 2015. – P 423.
7. Morozov A.I., Vvedenie v plazmodinamiku, Moskva, Fizmatlit (2006).
8. Abdullin I.Sh. Vysokochastotnye razrjady ponizhennogo davlenija v plazmohimicheskih processah // Vestn. Kazan.tehnol. unta. - 2010. - no 4. - pp.172-186.
9. Shefer O. V. Principi formuvannja іmpul'snogo plazmovogo seredovishha dlja pіdvishhennja zavadostіjkostі radіosignalіv /
10. V. Shefer // Aviacionno-kosmicheskaja tehnika i tehnologija. – Har'kov: NAU «HAI», 2017. – Vyp. 2 (137). – pp. 36-43.
Опубліковано
2021-05-31
Як цитувати
Shefer Oleksandr Нові селективні властивості плазми для ефективного використання в електроніці та телекомунікаціях / Oleksandr Shefer, Vitalii Marchenko, Galina Cherneva // Системи управління, навігації та зв’язку. Збірник наукових праць. – Полтава: ПНТУ, 2021. – Т. 2 (64). – С. 171-174. – doi:https://doi.org/10.26906/SUNZ.2021.2.171.